Електронні компоненти Та обладнання
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT FGH60N60UFD 60A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
275.00 грн
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
Есть доставка
Цена за 1 шт.
76.40 грн
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 12...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
357.00 грн
Транзистор IGBT STGF15H60DF 15A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
65.40 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SFD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
183.80 грн
Транзистор IGBT CRG25T120BKR3S 25A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
88.20 грн
Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220
Есть доставка
Цена за 1 шт.
63.00 грн
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
188.70 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
236.30 грн
Транзистор IGBT IKA15N60T(K15T60) 14.7A 600V TO-22...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
65.40 грн
Транзистор IGBT IHW40N1203 80A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
551.30 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-24...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
201.80 грн
Код товауа Фото Назва Залишок Вартість Гуртові ціни Кіл-ть Купити
22787 пр. Слобожанський 83/3 - (26
1 шт.
275.00
1: 275.00 грн
+
21538 пр. Слобожанський 83/3 - (4
1 шт.
76.40
1: 76.40 грн
+
17521 пр. Слобожанський 83/3 - (7
1 шт.
357.00
1: 357.00 грн
+
14637 пр. Слобожанський 83/3 - (1
1 шт.
65.40
1: 65.40 грн
+
03968 пр. Слобожанський 83/3 - (6
1 шт.
183.80
1: 183.80 грн
5: 169.60 грн
20: 150.70 грн
+
22430 пр. Слобожанський 83/3 - (6
1 шт.
88.20
1: 88.20 грн
+
17524 пр. Слобожанський 83/3 - (22
1 шт.
63.00
1: 63.00 грн
+
04836 пр. Слобожанський 83/3 - (22
1 шт.
188.70
1: 188.70 грн
5: 178.00 грн
20: 161.80 грн
+
03938 пр. Слобожанський 83/3 - (1
1 шт.
236.30
1: 236.30 грн
5: 212.60 грн
20: 189.00 грн
+
16569 пр. Слобожанський 83/3 - (5
1 шт.
65.40
1: 65.40 грн
+
12817 пр. Слобожанський 83/3 - (3
1 шт.
551.30
1: 551.30 грн
+
12621 пр. Слобожанський 83/3 - (2
1 шт.
201.80
1: 201.80 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.