Нет учетной записи?
Зарегистрироваться
Электронные компоненты и оборудование
Телефоны магазинов
Телефоны офиса
{{ totalQuantity }}
Корзина
{{ totalPrice }} грн.
Транзисторы IGBT
| Код товара | Фото | Название | Остаток | Цена | Оптовые цены | Кол-во | Купить |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 11608 |
пр. Слобожанский 83/3 - (4 пр. Д. Яворницкого, 121 - (6 |
1 шт. 19.00 |
1:
19.00 грн 10: 18.00 грн 50: 16.30 грн |
–
+
|
|||
| 14689 |
пр. Слобожанский 83/3 - (13 пр. Д. Яворницкого, 121 - (6 пр. Соборный, 153 - (7 |
1 шт. 62.10 |
1:
62.10 грн |
–
+
|
|||
| 14647 |
пр. Слобожанский 83/3 - (4 пр. Д. Яворницкого, 121 - (7 пр. Соборный, 153 - (3 |
1 шт. 44.60 |
1:
44.60 грн |
–
+
|
|||
| 01723 |
пр. Слобожанский 83/3 - (7 пр. Д. Яворницкого, 121 - (5 |
1 шт. 65.20 |
1:
65.20 грн |
–
+
|
|||
| 0325 |
пр. Д. Яворницкого, 121 - (4 пр. Соборный, 153 - (6 |
1 шт. 37.00 |
1:
37.00 грн 10: 31.50 грн 50: 24.10 грн |
–
+
|
|||
| 14646 |
пр. Д. Яворницкого, 121 - (8 пр. Соборный, 153 - (2 |
1 шт. 80.60 |
1:
80.60 грн |
–
+
|
|||
| 04065 |
пр. Д. Яворницкого, 121 - (2 |
1 шт. 85.80 |
1:
85.80 грн |
–
+
|
|||
| 01932 |
пр. Слобожанский 83/3 - (4 пр. Д. Яворницкого, 121 - (11 пр. Соборный, 153 - (5 |
1 шт. 37.70 |
1:
37.70 грн 5: 35.60 грн 20: 32.30 грн |
–
+
|
|||
| 03938 |
пр. Слобожанский 83/3 - (4 пр. Д. Яворницкого, 121 - (6 пр. Соборный, 153 - (4 |
1 шт. 98.50 |
1:
98.50 грн 5: 91.60 грн 20: 86.20 грн |
–
+
|
|||
| 12608 |
пр. Слобожанский 83/3 - (2 пр. Соборный, 153 - (2 пр. Д. Яворницкого, 121 - (1 |
1 шт. 123.50 |
1:
123.50 грн 4: 114.70 грн 10: 105.80 грн |
–
+
|
|||
| 04836 |
пр. Слобожанский 83/3 - (9 пр. Д. Яворницкого, 121 - (4 пр. Соборный, 153 - (7 |
1 шт. 63.80 |
1:
63.80 грн 5: 60.10 грн 20: 54.70 грн |
–
+
|
|||
| 03968 |
пр. Д. Яворницкого, 121 - (7 пр. Слобожанский 83/3 - (4 пр. Соборный, 153 - (5 |
1 шт. 65.20 |
1:
65.20 грн 5: 61.40 грн 20: 55.90 грн |
–
+
|
Описание о категории
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Преимущества IGBT:
- высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
- низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
- малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
- характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
- управление как у полевых транзисторов — напряжением.