Электронные компоненты и оборудование
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT FGH40N65UFDTU 40A 650V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
115.70 грн
Транзистор IGBT IKW75N60H3 75А 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
206.60 грн
Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
115.90 грн
Транзистор IGBT IKW15N120H3 (K15H1203) 15A 1200V T...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
121.50 грн
Транзистор IGBT RJH60F5DPQ 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
108.40 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 6...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
159.80 грн
Транзистор IGBT IRGP4062DPBF 24A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
108.00 грн
Транзистор IGBT STGB10NB37LZT4 20A 440V D2PAK
Есть доставка
Цена за 1 шт.
91.80 грн
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
324.00 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
88.70 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF 80A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
121.00 грн
Транзистор IGBT STGF15H60DF 15A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
63.50 грн
Код товара Фото Название Остаток Цена Оптовые цены Кол-во Купить
16565 пр. Слобожанский 83/3 - (3
1 шт.
115.70
1: 115.70 грн
+
15029 пр. Слобожанский 83/3 - (2
1 шт.
206.60
1: 206.60 грн
+
15031 пр. Слобожанский 83/3 - (12
1 шт.
115.90
1: 115.90 грн
+
12668 пр. Слобожанский 83/3 - (2
1 шт.
121.50
1: 121.50 грн
+
01723 пр. Слобожанский 83/3 - (11
1 шт.
108.40
1: 108.40 грн
+
01927 пр. Слобожанский 83/3 - (1
1 шт.
159.80
1: 159.80 грн
5: 150.60 грн
20: 136.90 грн
+
14643 пр. Слобожанский 83/3 - (1
1 шт.
108.00
1: 108.00 грн
+
11556 пр. Слобожанский 83/3 - (37
1 шт.
91.80
1: 91.80 грн
+
19804 пр. Слобожанский 83/3 - (10
1 шт.
324.00
1: 324.00 грн
+
12206 пр. Слобожанский 83/3 - (3
1 шт.
88.70
1: 88.70 грн
+
12621 пр. Слобожанский 83/3 - (3
1 шт.
121.00
1: 121.00 грн
+
14637 пр. Слобожанский 83/3 - (1
1 шт.
63.50
1: 63.50 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.