Електронні компоненти Та обладнання
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT STGP7NC60HD 25A 600V TO-220
Есть доставка
Цена за 1 шт.
78.90 грн
Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
107.20 грн
Транзистор IGBT STGF15H60DF 15A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
54.10 грн
Транзистор IGBT FGH60N60SFD 60A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
343.80 грн
Транзистор IGBT RJH60F5DPQ 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
131.50 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
122.70 грн
Транзистор IGBT IGP15N60T 23А 600V TO220
Есть доставка
Цена за 1 шт.
115.60 грн
Транзистор IGBT STGF19NC60KD 20A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
70.30 грн
Транзистор FGD3N60UNDF DPAK
Есть доставка
Цена за 1 шт.
37.90 грн
Транзистор IGBT IKW75N60T(K75T60) 75A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
217.30 грн
Транзистор IGBT IHW40N60RF(H40RF60) 80A 600V TO-24...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
222.40 грн
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
405.00 грн
Код товауа Фото Назва Залишок Вартість Гуртові ціни Кіл-ть Купити
16571 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
78.90
1: 78.90 грн
+
15031 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
107.20
1: 107.20 грн
+
14637 пр. Слобожанський 83/3 - (22
1 шт.
54.10
1: 54.10 грн
+
03938 пр. Слобожанський 83/3 - (10
1 шт.
343.80
1: 343.80 грн
5: 326.80 грн
20: 303.40 грн
+
01723 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
131.50
1: 131.50 грн
+
15028 пр. Слобожанський 83/3 - (13
1 шт.
122.70
1: 122.70 грн
+
24771 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
115.60
1: 115.60 грн
+
24456 пр. Слобожанський 83/3 - (8
1 шт.
70.30
1: 70.30 грн
+
21539 пр. Слобожанський 83/3 - (1
1 шт.
37.90
1: 37.90 грн
+
05882 пр. Слобожанський 83/3 - (38
1 шт.
217.30
1: 217.30 грн
+
12621 пр. Слобожанський 83/3 - (6
1 шт.
222.40
1: 222.40 грн
+
19804 пр. Слобожанський 83/3 - (2
1 шт.
405.00
1: 405.00 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.