| Структура | IGBT + Diode |
| Схема з'єднання | Одиночний |
| Макс. напруга колектор-емітер | 600 V |
| Напруга затвор - емітер | ±20 V |
| Макс. ток колектора (25°C) | 80 А |
| Макс. ток колектора (100°C) | 40 А |
| Макс. постійний струм діода (25°С) | 80 А |
| Макс. постійний струм діода (100°С) | 40 А |
| Потужність розсіювання при 25°C | 305 Вт |
Способи доставки
Способи оплати
Умови повернення
Графік роботи
