Електронні компоненти Та обладнання
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
360.00 грн
Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
199.50 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 6...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
225.60 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
128.20 грн
Транзистор IGBT CRG40T60AN3H TO-3PN
Есть доставка
Цена за 1 шт.
67.50 грн
Транзистор IGBT STGF15H60DF 15A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
62.30 грн
Транзистор IGBT FGH40N60UFD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
179.80 грн
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
Есть доставка
Цена за 1 шт.
71.80 грн
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
Есть доставка
Цена за 1 шт.
72.70 грн
Транзистор IGBT RJH60F5DPQ 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
120.40 грн
Транзистор IGBT IRGS14C40LTRLP 14A 430V TO-263
Есть доставка
Цена за 1 шт.
79.50 грн
Транзистор IGBT IKA15N60T(K15T60) 14.7A 600V TO-22...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
62.30 грн
Код товауа Фото Назва Залишок Вартість Гуртові ціни Кіл-ть Купити
19804 пр. Слобожанський 83/3 - (6
1 шт.
360.00
1: 360.00 грн
+
15028 пр. Слобожанський 83/3 - (8
1 шт.
199.50
1: 199.50 грн
+
01927 пр. Слобожанський 83/3 - (18
1 шт.
225.60
1: 225.60 грн
5: 202.50 грн
20: 180.00 грн
+
12206 пр. Слобожанський 83/3 - (22
1 шт.
128.20
1: 128.20 грн
+
21537 пр. Слобожанський 83/3 - (1
1 шт.
67.50
1: 67.50 грн
+
14637 пр. Слобожанський 83/3 - (19
1 шт.
62.30
1: 62.30 грн
+
04836 пр. Слобожанський 83/3 - (26
1 шт.
179.80
1: 179.80 грн
5: 169.50 грн
20: 154.10 грн
+
17816 пр. Слобожанський 83/3 - (24
1 шт.
71.80
1: 71.80 грн
10: 62.60 грн
30: 51.80 грн
+
21538 пр. Слобожанський 83/3 - (18
1 шт.
72.70
1: 72.70 грн
+
01723 пр. Слобожанський 83/3 - (8
1 шт.
120.40
1: 120.40 грн
+
18373 пр. Слобожанський 83/3 - (51
1 шт.
79.50
1: 79.50 грн
+
16569 пр. Слобожанський 83/3 - (12
1 шт.
62.30
1: 62.30 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.