Цей потужний транзистор від ST Microelectronics поєднує в собі транзистор IGBT та діод, що робить його ідеальним рішенням для використання в різних високовольтних застосуваннях. Висока розсіювана потужність та робоча температура до +150°C забезпечують надійну роботу навіть у важких умовах.
Особливості:
Висока напруга колектор-емітер: Максимальна напруга колектор-емітер досягає 600 В, що дозволяє використовувати транзистор у високовольтних схемах.
Інтегрований діод: Наявність вбудованого діода покращує продуктивність та робить його більш універсальним.
Швидке відновлення діода: Час відновлення становить лише 31 нс, що підвищує ефективність при перемиканні.
Компактний корпус D2PAK: Забезпечує чудове відведення тепла та компактність.
Переваги:
Висока потужність розсіювання: Транзистор здатен розсіювати до 125 Вт тепла, що дозволяє йому працювати з високими струмами.
Широкий діапазон робочих температур: Підтримує стабільну роботу при температурах від -55°C до +150°C.
Надійність та довговічність: Завдяки структурі IGBT з вбудованим діодом, транзистор відзначається підвищеною надійністю.
Застосування: Підходить для використання у джерелах живлення, інверторах, системах управління електродвигунами та інших високовольтних електричних системах.
Технічні характеристики:
Комплектація:
Транзистор STGB19NC60KDT4 — це потужний та надійний компонент, який чудово підходить для важких умов експлуатації. Його висока продуктивність та довговічність роблять його ідеальним вибором для широкого спектра застосувань.
Способи доставки
Способи оплати
Умови повернення
Графік роботи