Код: 24948

Транзистор IGBT STGB20M65DF2 20А 650V D2PAK

Ціна за 1 шт.

55.60 грн

В
                                                                    наявності 5
                                                                    шт.
                                                                
пр. Слобожанський 83/3 
                                                                            (5 шт).
                                                                        
Оптом і в роздріб

Оптові ціни

Способи оплати Умови повернення Графік роботи

Опис

Транзистор IGBT STGB20M65DF2 20А 650V D²PAK

Транзистор IGBT STGB20M65DF2 20A 650V D²PAK — це сучасний силовий IGBT-транзистор серії M від STMicroelectronics, розроблений для високоефективних інверторів, систем керування електродвигунами, джерел безперебійного живлення та вузлів корекції коефіцієнта потужності (PFC). Компонент виготовлений за передовою технологією Trench Gate Field-Stop, що забезпечує низькі втрати при перемиканні, високу стійкість до короткого замикання та покращену енергоефективність. Наявність швидкодіючого антипаралельного діода робить пристрій оптимальним вибором для роботи з індуктивними навантаженнями.

Особливості
🔹 Побудований за сучасною технологією Trench Gate Field-Stop для досягнення високої ефективності та низьких втрат потужності.
🔹 Низька напруга насичення колектор-емітер VCE(sat) лише 1.55 В (типове значення при струмі 20 А), що знижує тепловиділення під час роботи.
🔹 Висока стійкість до короткого замикання забезпечує додатковий запас надійності в силових системах.
🔹 Оснащений надшвидким антипаралельним діодом із м'яким відновленням, що покращує роботу в інверторних схемах.
🔹 Позитивний температурний коефіцієнт VCE(sat) спрощує паралельне підключення декількох транзисторів.
🔹 Вузький розкид параметрів між екземплярами забезпечує стабільність характеристик та прогнозовану роботу пристроїв.
🔹 Корпус D²PAK забезпечує ефективне відведення тепла та підходить для автоматизованого поверхневого монтажу.
🔹 Оптимізований для застосувань, де важливе поєднання низьких втрат і високої надійності роботи.

Переваги
✔ Робоча напруга до 650 В
✔ Вбудований швидкодіючий діод
✔ Низькі втрати провідності
✔ Висока стійкість до короткого замикання
✔ Підходить для паралельного підключення
✔ Висока потужність розсіювання
✔ Корпус для SMD-монтажу
✔ Виробництво STMicroelectronics

Застосування
✅ Керування електродвигунами
✅ Джерела безперебійного живлення (UPS)
✅ Системи корекції коефіцієнта потужності (PFC)
✅ Інвертори загального призначення
✅ Імпульсні джерела живлення
✅ Перетворювачі напруги
✅ Промислова автоматика
✅ Силова електроніка

Опис інтерфейсів
🔸 (1) Gate (G) — керуючий вхід затвора
🔸 (2, TAB) Collector (C) — колектор транзистора
🔸 (3) Emitter (E) — емітер транзистора
🔸 Антипаралельний діод — захист та робота з індуктивними навантаженнями
🔸 Корпус D²PAK — поверхневий монтаж на друковану плату

Інструкція з використання
1️⃣ Встановіть транзистор на друковану плату відповідно до схеми підключення.
2️⃣ Підключіть колектор, емітер та затвор згідно з вимогами проєкту.
3️⃣ Забезпечте необхідний рівень керуючої напруги для затвора.
4️⃣ Перед запуском перевірте правильність монтажу та якість пайки.
5️⃣ При роботі з високими струмами забезпечте достатнє тепловідведення від корпусу.

Міри безпеки
⚠️ Не перевищуйте максимально допустиму напругу колектор-емітер.
⚠️ Не допускайте перевищення допустимого струму колектора та діода.
⚠️ Захищайте затвор від статичної електрики.
⚠️ Забезпечте належне охолодження під час роботи на великих потужностях.
⚠️ Не перевищуйте допустиму напругу затвор-емітер ±20 В.
⚠️ Монтаж та обслуговування виконуйте лише при відключеному живленні.

Технічні характеристики
⚙️ Виробник: STMicroelectronics (STM)
⚙️ Серія: M Series
⚙️ Тип компонента: IGBT-транзистор із діодом
⚙️ Структура: IGBT + Diode
⚙️ Схема з'єднання: одиночний
⚙️ Корпус: D²PAK
⚙️ Тип монтажу: SMD
⚙️ Максимальна напруга колектор-емітер: 650 В
⚙️ Напруга затвор-емітер: ±20 В
⚙️ Максимальний струм колектора при 25°C: 40 А
⚙️ Максимальний струм колектора при 100°C: 20 А
⚙️ Максимальний постійний струм діода при 25°C: 40 А
⚙️ Максимальний постійний струм діода при 100°C: 20 А
⚙️ Напруга насичення колектор-емітер VCE(sat): 1.55 В (тип.)
⚙️ Час відновлення діода при 25°C: 166 нс
⚙️ Час відновлення діода при Tmax: 281 нс
⚙️ Потужність розсіювання при 25°C: 166 Вт
⚙️ Тип діода: антипаралельний, швидкодіючий
⚙️ Температурний коефіцієнт VCE(sat): позитивний

📝 Примітка: Виробник може змінювати характеристики, комплектацію і зовнішній вигляд без попереднього повідомлення.

Комплектація
📦 Транзистор IGBT STGB20M65DF2 D²PAK — 1 шт.

Транзистор STGB20M65DF2 поєднує низькі втрати провідності, високу швидкодію та відмінну стійкість до перевантажень, що робить його ефективним рішенням для сучасної силової електроніки. Завдяки вбудованому швидкодіючому діоду та високій надійності він успішно застосовується в інверторах, системах керування двигунами та промислових джерелах живлення.

Про товар Відгуки