Производитель | SILAN |
Корпус | TO3P |
Структура | IGBT + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
Макс. ток коллектора (25°C) | 80 А |
Макс. ток коллектора (100°C) | 40 А |
Мощность рассеяния при 25°C | 290 Вт |
Рабочая температура | -55°C ... +150°C |