Електронні компоненти Та обладнання
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT FGH40N60SMD 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
121.40 грн
Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN 60A 600V TO3P
Есть доставка
Цена за 1 шт.
80.90 грн
Транзистор IGBT FGA15N120ANTDTU_F109 30A 1200V TO-...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
130.90 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 6...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
141.60 грн
Транзистор IGBT XNF15N60T 30А 600V TO220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
38.40 грн
Транзистор IGBT CRG40T120AK3S 40A 1200V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
121.40 грн
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
Есть доставка
Цена за 1 шт.
57.10 грн
Транзистор IGBT IGP15N60T 23А 600V TO220
Есть доставка
Цена за 1 шт.
114.30 грн
Транзистор IGBT STGF19NC60KD 20A 600V TO-220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
69.60 грн
Транзистор IGBT IHW20N120R3(H20R1203) 40A 1200V TO...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
120.70 грн
Транзистор FGD3N60UNDF DPAK
Есть доставка
Цена за 1 шт.
37.50 грн
Транзистор IGBT IKA15N60T(K15T60) 14.7A 600V TO-22...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
57.10 грн
Код товауа Фото Назва Залишок Вартість Гуртові ціни Кіл-ть Купити
15028 пр. Слобожанський 83/3 - (13
1 шт.
121.40
1: 121.40 грн
+
24769 пр. Слобожанський 83/3 - (30
1 шт.
80.90
1: 80.90 грн
+
12206 пр. Слобожанський 83/3 - (4
1 шт.
130.90
1: 130.90 грн
+
01927 пр. Слобожанський 83/3 - (49
1 шт.
141.60
1: 141.60 грн
5: 132.20 грн
20: 120.40 грн
+
24770 пр. Слобожанський 83/3 - (3
1 шт.
38.40
1: 38.40 грн
+
22431 пр. Слобожанський 83/3 - (12
1 шт.
121.40
1: 121.40 грн
+
17816 пр. Слобожанський 83/3 - (34
1 шт.
57.10
1: 57.10 грн
10: 52.90 грн
30: 48.10 грн
+
24771 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
114.30
1: 114.30 грн
+
24456 пр. Слобожанський 83/3 - (8
1 шт.
69.60
1: 69.60 грн
+
24446 пр. Слобожанський 83/3 - (11
1 шт.
120.70
1: 120.70 грн
+
21539 пр. Слобожанський 83/3 - (1
1 шт.
37.50
1: 37.50 грн
+
16569 пр. Слобожанський 83/3 - (2
1 шт.
57.10
1: 57.10 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.