Немає облікового запису?
Зарееєструватись
Електронні компоненти Та обладнання
Телефони магазину
Телефони офісу
{{ totalQuantity }}
Корзина
{{ totalPrice }} грн.
Транзистори IGBT
| Код товауа | Фото | Назва | Залишок | Вартість | Гуртові ціни | Кіл-ть | Купити |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 22430 |
пр. Слобожанський 83/3 - (2 |
1 шт. 88.20 |
1:
88.20 грн |
–
+
|
|||
| 19804 |
пр. Слобожанський 83/3 - (4 |
1 шт. 378.00 |
1:
378.00 грн |
–
+
|
|||
| 01927 |
пр. Слобожанський 83/3 - (2 |
1 шт. 236.90 |
1:
236.90 грн 5: 212.60 грн 20: 189.00 грн |
–
+
|
|||
| 12206 |
пр. Слобожанський 83/3 - (12 |
1 шт. 134.60 |
1:
134.60 грн |
–
+
|
|||
| 04836 |
пр. Слобожанський 83/3 - (4 |
1 шт. 188.70 |
1:
188.70 грн 5: 178.00 грн 20: 161.80 грн |
–
+
|
|||
| 21539 |
пр. Слобожанський 83/3 - (3 |
1 шт. 35.40 |
1:
35.40 грн |
–
+
|
|||
| 12668 |
пр. Слобожанський 83/3 - (22 |
1 шт. 223.70 |
1:
223.70 грн |
–
+
|
|||
| 22787 |
пр. Слобожанський 83/3 - (18 |
1 шт. 275.00 |
1:
275.00 грн |
–
+
|
|||
| 17521 |
пр. Слобожанський 83/3 - (1 |
1 шт. 357.00 |
1:
357.00 грн |
–
+
|
|||
| 16570 |
пр. Слобожанський 83/3 - (16 |
1 шт. 213.10 |
1:
213.10 грн |
–
+
|
|||
| 16569 |
пр. Слобожанський 83/3 - (20 |
1 шт. 68.00 |
1:
68.00 грн |
–
+
|
|||
| 15031 |
пр. Слобожанський 83/3 - (2 |
1 шт. 147.00 |
1:
147.00 грн |
–
+
|
Описание о категории
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.
Преимущества IGBT:
- высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
- низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
- малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
- характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
- управление как у полевых транзисторов — напряжением.