Код: 24769

Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN 60A 600V TO3P

Ціна за 1 шт.

80.90 грн

В
                                                                    наявності 30
                                                                    шт.
                                                                
пр. Слобожанський 83/3 
                                                                            (30 шт).
                                                                        
Оптом і в роздріб

Оптові ціни

Способи оплати Умови повернення Графік роботи

Опис

Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN 60A 600V TO-3P

Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN 60A 600V TO-3P — це потужний високовольтний IGBT-транзистор зі зворотним діодом, призначений для застосування в інверторах, джерелах живлення, імпульсних перетворювачах та схемах високої потужності.

Особливості
🔹 Використовує комбіновану структуру IGBT + діод, що забезпечує ефективне керування високими струмами та зменшення втрат при перемиканні.
🔹 Корпус формату TO3P забезпечує відмінне відведення тепла, високу механічну міцність та зручність монтажу на радіатор.
🔹 Підтримує роботу при напрузі колектор–емітер до 600 В, що дозволяє використовувати транзистор у високовольтних силових схемах.
🔹 Дозволене напруга затвор–емітер ±20 В гарантує стабільність керування в широкому діапазоні режимів.
🔹 Високий імпульсний струм колектора до 120 А (при 25°C) робить його придатним для пікових навантажень та імпульсних процесів.
🔹 Швидкий час відновлення діода 38 нс покращує ефективність у високочастотних застосуваннях.
🔹 Максимальна потужність розсіювання 321 В забезпечує стабільну роботу навіть у важких температурних умовах.

Переваги
✔ Високий струмовий запас
✔ Стійкість до високої напруги
✔ Низькі втрати при перемиканні
✔ Надійний корпус TO3P із хорошим тепловідводом
✔ Підходить для роботи в умовах великих навантажень

Застосування
✅ Інвертори
✅ Джерела живлення
✅ Імпульсні блоки живлення (SMPS)
✅ Електродвигуни та драйвери
✅ Промислова силова електроніка
✅ Перетворювачі та зарядні пристрої високої потужності

Опис інтерфейсів
🔸 Колектор (C) — основний силовий вхід високої напруги
🔸 Емітер (E) — силовий вихід
🔸 Затвор (G) — керуючий вивід транзистора
🔸 Монтажний майданчик корпуса — для встановлення на радіатор і тепловідведення

Інструкція до використання
1️⃣ Встановіть транзистор у відповідний отвір плати або на радіатор.
2️⃣ Закріпіть корпус через монтажний отвір для надійного тепловідведення.
3️⃣ Під’єднайте колектор, емітер та затвор згідно зі схемою.
4️⃣ Забезпечте використання драйвера затвора з допустимою напругою ±20 В.
5️⃣ Перед запуском перевірте відсутність коротких замикань і надійність електричних з’єднань.

Заходи безпеки
⚠️ Не перевищуйте максимальні параметри струму та напруги.
⚠️ Використовуйте тепловідвід для запобігання перегріву.
⚠️ Уникайте електростатичного розряду (ESD) при роботі із затвором.
⚠️ Забезпечте коректне підключення та ізоляцію силових ланцюгів.

Технічні характеристики
⚙️ Виробник: SILAN
⚙️ Корпус: TO3P
⚙️ Структура: IGBT + Diode
⚙️ Схема з'єднання: Одиночний
⚙️ Напруга колектор–емітер: 600 В
⚙️ Напруга затвор–емітер: ±20 В
⚙️ Максимальний струм колектора (25°C): 120 А
⚙️ Максимальний струм колектора (100°C): 60 А
⚙️ Час відновлення діода: 38 нс (typ)
⚙️ Максимальна потужність розсіювання (25°C): 321 Вт