Код: 24446

Транзистор IGBT IHW20N120R3(H20R1203) 40A 1200V TO-247

Ціна за 1 шт.

120.70 грн

В
                                                                    наявності 11
                                                                    шт.
                                                                
пр. Слобожанський 83/3 
                                                                            (11 шт).
                                                                        
Оптом і в роздріб

Оптові ціни

Способи оплати Умови повернення Графік роботи

Опис

Транзистор IGBT IHW20N120R3 (H20R1203) 40A 1200V TO-247

Транзистор IGBT IHW20N120R3 (H20R1203) — це високонадійний силовий напівпровідниковий елемент від Infineon, призначений для роботи у високовольтних та високострумових схемах. Поєднання IGBT-структури з вбудованим швидким діодом робить його ефективним рішенням для інверторів, імпульсних джерел живлення, зварювальних апаратів, мотор-драйверів та іншої потужної електроніки.

Особливості:
🔹 Поєднання IGBT + діод (Fast Recovery Diode).
🔹 Висока робоча напруга — 1200 В.
🔹 Максимальний струм колектора до 40 А при 25°C.
🔹 Можливість роботи при підвищених температурах (до 100°C із струмом 20 А).
🔹 Велика допустима потужність розсіювання — 310 Вт.
🔹 Корпус TO-247 для ефективного теплообміну та монтажу.
🔹 Широке застосування в силових перетворювачах та імпульсних схемах.

Переваги:
✔ Висока енергоефективність та низькі втрати.
✔ Стійкість до перенапруг та великих струмів.
✔ Надійна робота у промислових силових схемах.
✔ Вбудований діод з малим часом відновлення.
✔ Простий монтаж у стандартному корпусі TO-247.

Застосування:
✅ Інвертори
✅ Частотні перетворювачі
✅ Зварювальні апарати
✅ Імпульсні блоки живлення
✅ Перетворювачі двигунів
✅ Силова автоматика та промислова електроніка

Опис інтерфейсів:
🔸 Корпус TO-247 — три стандартні виводи:
— G (Gate) — затвор
— C (Collector) — колектор
— E (Emitter) — емітер

Інструкція до використання:
1️⃣ Забезпечити надійне кріплення до радіатора для ефективного охолодження.
2️⃣ Використовувати термопасту для зниження теплового опору.
3️⃣ Не перевищувати напругу затвор-емітер ±20 В.
4️⃣ Дотримуватися правильної полярності підключення.
5️⃣ Забезпечити захист від перенапруг (snubber-ланцюги).

Заходи безпеки:
⚠️ Не перевищувати максимальні параметри, зазначені виробником.
⚠️ Уникати роботи без охолодження під великим навантаженням.
⚠️ Працювати тільки при вимкненому живленні.
⚠️ Захищати затвор від статичного розряду (ESD).

Технічні характеристики:
⚙️ Виробник: Infineon
⚙️ Корпус: TO-247
⚙️ Тип: IGBT + діод
⚙️ Максимальна напруга C-E: 1200 В
⚙️ Максимальна напруга G-E: ±20 В
⚙️ Струм колектора (25°C): 40 А
⚙️ Струм колектора (100°C): 20 А
⚙️ Струм діода: 40 А (25°C) / 20 А (100°C)
⚙️ Потужність розсіювання: 310 Вт

📝 Примітка: Виробник може вносити зміни до характеристик та зовнішнього вигляду без попередження.

Комплектація:
📦 IGBT транзистор IHW20N120R3

IGBT забезпечує високу ефективність та надійність у потужних електронних пристроях, що робить його одним із найкращих виборів для промислових застосувань.

Про товар Відгуки