ОСОБЕННОСТИ
ЗАЩИТЫ
ТАБЛИЦА МАКСИМАЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ |
||
Символ | Параметр | Величина |
VS |
Рабочее напряжение питания |
18 В |
VS(DC) |
Напряжение питания (микросхема в ждущем режиме) |
28 В |
VS(pk) |
Напряжение питания (пиковое t = 50 ms) |
50 В |
IO |
Выходной ток: - повторяющийся (рабочий цикл 10% при f = 10 Гц) - не повторяющийся (t = 100 мкС) |
4.5 A 5.5 А |
Ptot |
Мощность рассеивания (температура корпуса 70 0С) |
80 Вт |
Tj |
Температура кристалла |
150 0С |
Tstg |
Температура хранения |
- 55 … + 150 0С |
Rth j-case |
Тепловое сопротивление кристалл-корпус (max) |
1 0C/W |