ОСОБЕННОСТИ
ЗАЩИТЫ
ТАБЛИЦА МАКСИМАЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ | ||
Символ | Параметр | Величина |
VS | Рабочее напряжение питания | 18 В |
VS(DC) | Напряжение питания (микросхема в ждущем режиме) | 28 В |
VS(pk) | Напряжение питания (пиковое t = 50 ms) | 50 В |
IO | Выходной ток: - повторяющийся (рабочий цикл 10% при f = 10 Гц) - не повторяющийся (t = 100 мкС) | 4.5 A 5.5 А |
Ptot | Мощность рассеивания (температура корпуса 70 0С) | 80 Вт |
Tj | Температура кристалла | 150 0С |
Tstg | Температура хранения | - 55 … + 150 0С |
Rth j-case | Тепловое сопротивление кристалл-корпус (max) | 1 0C/W |