Електронні компоненти Та обладнання
{{ totalQuantity }} Корзина {{ totalPrice }} грн.

Транзистори IGBT

Транзистор IGBT XNF15N60T 30А 600V TO220F
Есть доставка
Цена за 1 шт.
38.90 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 6...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
143.20 грн
Транзистор IGBT IKW20N60T (K20T60) 40A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
78.40 грн
Транзистор IGBT SGT40N60NPFDP 40A 600V TO-3P
Есть доставка
Цена за 1 шт.
57.80 грн
Транзистор IGBT IKW40N120H3(K40H1203)+diode 40А 12...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
381.20 грн
Транзистор IGBT STGD7NC60HT4 14A 600V very fast DP...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
94.60 грн
Транзистор польовий XNF20N60T 20A 600V N-ch TO-220...
Есть доставка
Цена за 1 шт.
50.60 грн
Транзистор IGBT STGB20M65DF2 20А 650V D2PAK
Есть доставка
Цена за 1 шт.
55.60 грн
Транзистор IGBT STGB15M65DF2 15А 650V D2PAK
Есть доставка
Цена за 1 шт.
105.20 грн
Транзистор IGBT RJH60F7DPQ-A0 50A 600V TO-247
Есть доставка
Цена за 1 шт.
163.80 грн
Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220
Есть доставка
Цена за 1 шт.
56.60 грн
Транзистор IGBT SGT60N60FD1PN 60A 600V TO3P
Есть доставка
Цена за 1 шт.
81.80 грн
Код товауа Фото Назва Залишок Вартість Гуртові ціни Кіл-ть Купити
24770 пр. Слобожанський 83/3 - (50
1 шт.
38.90
1: 38.90 грн
+
01927 пр. Слобожанський 83/3 - (41
1 шт.
143.20
1: 143.20 грн
5: 133.70 грн
20: 121.70 грн
+
24445 пр. Слобожанський 83/3 - (14
1 шт.
78.40
1: 78.40 грн
+
17816 пр. Слобожанський 83/3 - (30
1 шт.
57.80
1: 57.80 грн
10: 53.50 грн
30: 48.60 грн
+
17521 пр. Слобожанський 83/3 - (2
1 шт.
381.20
1: 381.20 грн
+
24962 пр. Слобожанський 83/3 - (10
1 шт.
94.60
1: 94.60 грн
+
24947 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
50.60
1: 50.60 грн
+
24948 пр. Слобожанський 83/3 - (10
1 шт.
55.60
1: 55.60 грн
+
24949 пр. Слобожанський 83/3 - (10
1 шт.
105.20
1: 105.20 грн
+
16564 пр. Слобожанський 83/3 - (4
1 шт.
163.80
1: 163.80 грн
+
17524 пр. Слобожанський 83/3 - (24
1 шт.
56.60
1: 56.60 грн
+
24769 пр. Слобожанський 83/3 - (20
1 шт.
81.80
1: 81.80 грн
+
Описание о категории

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) — трёхэлектродный силовой полупроводниковый прибор, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления). Используется, в основном, как мощный электронный ключ в импульсных источниках питания, инверторах, в системах управления электрическими приводами.

Преимущества IGBT:

  • высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;
  • низкое значение остаточного напряжения во включённом состоянии;
  • малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;
  • характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;
  • управление как у полевых транзисторов — напряжением.