Наименование прибора: IRF1310N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 42
Максимальная температура канала (Tj): 150
Время нарастания (tr):
Выходная емкость (Cd), pf:
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.036
Тип корпуса: TO220AB