Производитель | ON Semiconductor (ONS) |
Корпус | TO3 |
Структура | NPN-Darlington + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-база | 120 V |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 120 V |
Макс. напряжение эмиттер-база | 5 V |
Макс. постоянный ток коллектора | 50 А |
Мощность рассеяния | 300 Вт |
Коэффициент передачи тока (диапазон) | 400 - 18000 |