Структура | IGBT + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
Макс. ток коллектора (25°C) | 30 А |
Макс. ток коллектора (100°C) | 15 А |
Макс. постоянный ток диода (25°С) | 15 А |
Макс. постоянный ток диода (100°С) | 7.5 А |
Время восстановления диода (25°С/tmax) | 260 / 470 нс |
Мощность рассеяния при 25°C | 217 Вт |