Структура | IGBT + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
Макс. ток коллектора (25°C) | 80 А |
Макс. ток коллектора (100°C) | 40 А |
Макс. постоянный ток диода (25°С) | 80 А |
Макс. постоянный ток диода (100°С) | 40 А |
Мощность рассеяния при 25°C | 429 Вт |