| Структура | IGBT + Diode |
| Схема соединения | Одиночный |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 1.2 kV |
| Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
| Макс. ток коллектора (25°C) | 80 А |
| Макс. ток коллектора (100°C) | 40 А |
| Макс. постоянный ток диода (25°С) | 80 А |
| Макс. постоянный ток диода (100°С) | 40 А |
| Мощность рассеяния при 25°C | 429 Вт |
Способи доставки
Способи оплати
Умови повернення
Графік роботи
