Цей потужний транзистор від ST Microelectronics поєднує в собі транзистор IGBT та діод, що робить його ідеальним рішенням для використання в різних високовольтних застосуваннях. Висока розсіювана потужність та робоча температура до +150°C забезпечують надійну роботу навіть у важких умовах.
Особливості:
Висока напруга колектор-емітер: Максимальна напруга колектор-емітер досягає 600 В, що дозволяє використовувати транзистор у високовольтних схемах.
Інтегрований діод: Наявність вбудованого діода покращує продуктивність та робить його більш універсальним.
Швидке відновлення діода: Час відновлення становить лише 31 нс, що підвищує ефективність при перемиканні.
Компактний корпус D2PAK: Забезпечує чудове відведення тепла та компактність.
Переваги:
Висока потужність розсіювання: Транзистор здатен розсіювати до 125 Вт тепла, що дозволяє йому працювати з високими струмами.
Широкий діапазон робочих температур: Підтримує стабільну роботу при температурах від -55°C до +150°C.
Надійність та довговічність: Завдяки структурі IGBT з вбудованим діодом, транзистор відзначається підвищеною надійністю.
Застосування: Підходить для використання у джерелах живлення, інверторах, системах управління електродвигунами та інших високовольтних електричних системах.
Технічні характеристики:
Комплектація:
Транзистор STGB19NC60KDT4 — це потужний та надійний компонент, який чудово підходить для важких умов експлуатації. Його висока продуктивність та довговічність роблять його ідеальним вибором для широкого спектра застосувань.