Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12
Максимальная температура канала (Tj): 150
Время нарастания (tr): 9.4
Выходная емкость (Cd), pf: 370
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds), Ohm: 0.014
Тип корпуса: SO-8