Структура | IGBT + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
Макс. ток коллектора (25°C) | 20 А |
Макс. ток коллектора (100°C) | 10 А |
Макс. постоянный ток диода (25°С) | 10 А |
Время восстановления диода (25°С/tmax) | 70 нс (typ) |
Мощность рассеяния при 25°C | 40 Вт |