Структура | IGBT + Diode |
Схема соединения | Одиночный |
Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
Напряжение затвор - эмиттер | ±20 V |
Макс. ток коллектора (25°C) | 55 А |
Макс. ток коллектора (100°C) | 27 А |
Макс. постоянный ток диода (100°С) | 25 А |
Время восстановления диода (25°С/tmax) | 50 / 105 нс |
Мощность рассеяния при 25°C | 200 Вт |
Макс. частота переключения | 40 кГц |