Код: 24433

Транзистор FIR120N055P N-ch 55V 120A Typ:4.1mΩ TO220

Ціна за 1 шт.

38.10 грн

В
                                                                    наявності 44
                                                                    шт.
                                                                
пр. Слобожанський 83/3 
                                                                            (44 шт).
                                                                        
Оптом і в роздріб

Оптові ціни

Способи оплати Умови повернення Графік роботи

Опис

Транзистор FIR120N055P N-ch 55V 120A Typ:4.1mΩ TO220

Транзистор FIR120N055P — це сучасний n-канальний MOSFET у корпусі TO-220, призначений для роботи у високострумових та низьковольтних схемах. Відзначається дуже низьким опором відкритого каналу та здатністю пропускати великі струми, що робить його придатним для силової електроніки, перетворювачів, драйверів двигунів та систем живлення.

Особливості:
🔹 N-канальний MOSFET із високою пропускною здатністю струму — до 120 А при 25°C.
🔹 Низький опір каналу Rds(on) — 4.1 мОм, що зменшує нагрів і підвищує ККД схеми.
🔹 Робоча напруга стік-витік до 55 В, оптимально для DC-конверторів і драйверів навантаження.
🔹 Висока термостійкість: здатний пропускати 85 А при 75–100°C.
🔹 Корпус TO-220 забезпечує ефективний тепловідвід і можливість встановлення на радіатор.
🔹 Порогова напруга затвор-витік 2…4 В, що дозволяє керувати транзистором із більшістю драйверів MOSFET.

Переваги:
✔ Дуже низький опір каналу.
✔ Високий допустимий струм.
✔ Можливість монтажу на радіатор.
✔ Надійний та стабільний у силових схемах.

Застосування:
✅ Перетворювачі напруги (DC-DC, інвертори).
✅ Драйвери електродвигунів.
✅ Силові модулі та контролери живлення.
✅ Схеми комутації високих струмів.
✅ Літієві BMS та зарядні пристрої.

Опис інтерфейсів:
🔸 Корпус TO-220 зі стандартним розташуванням виводів: (1).Затвор/Gate(G) — (2).Стік/Drain(D) — (3).Витік/Source(S).

Інструкція до використання:
1️⃣ Встановіть транзистор згідно схеми з правильним підключенням G-D-S.
2️⃣ Забезпечте адекватний тепловідвід при великих струмах.
3️⃣ Керуйте затвором у межах ±20 В згідно специфікації.
4️⃣ Уникайте коротких замикань та стрибків напруги.

Заходи безпеки:
⚠️ Не перевищуйте напругу Vgs ±20 В.
⚠️ Забезпечуйте радіатор при роботі на великих струмах.
⚠️ Монтуйте транзистор лише при знеструмленій схемі.

Технічні характеристики:
⚙️ Виробник: FIRST SEMI (FS)
⚙️ Корпус: TO-220
⚙️ Тип структури: N-канал
⚙️ Конфігурація: одиночний MOSFET
⚙️ V(BR)DSS: 55 В
⚙️ Vgs: ±20 В
⚙️ Id (25°C): 120 А
⚙️ Id (75–100°C): 85 А
⚙️ Rds(on) 25°C (Vgs=10V): 4.1 мОм
⚙️ VGS(th) (типове): 3 В
⚙️ VGS(th) (діапазон): 2…4 В

📝 Примітка: Виробник може змінювати характеристики, зовнішній вигляд та маркування без попереднього повідомлення.

Комплектація:
📦 Транзистор FIR120N055P

Потужний та ефективний MOSFET, який чудово підходить для високострумових та низьковольтних силових схем, забезпечуючи мінімальні втрати та високу надійність.

Про товар Відгуки