Характеристики
Автоматическое определение npn,pnp биполярных транзисторов, N- и P- канальных MOSFET транзисторов, JFET транзисторов, диодов, двойных диодов, тиристоров и симисторов.
Автоматическое определение расположения выводов элемента.
Измерение h21 и порогового напряжения база-эмиттер биполярного транзистора.
Обнаружение защитного диода в биполярных и MOSFET транзисторах.
Измерение порогового напряжения затвора и величины емкости затвора MOSFET.
Разрешение измерения сопротивления от 0,01 Ом до 50 Мом.
Измерение ESR конденсатора
Измерение индуктивности от 0,01 мГн до 20 Гн.
Так же, в прибор встроен:
измеритель частоты.
частотный генератор (20 МГц, 10 МГц, 500 кГц, 250 кГц, 153,8462 кГц, 100 кГц, 50 кГц, 25 кГц, 10 кГц, 5000 Гц, 2500 Гц, 1000 Гц, 443,0170 Гц, 441,9890 Гц, 439,9956 Гц, 250 Гц, 100 Гц, 50 Гц, 10 Гц, 1000 мГц,),
Генератор 10-бит ШИМ сигнала,
измеритель емкости и ESR конденсаторов (20пФ..1000мкФ)
Перед подключением убедитесь, что на тестируемые элементы не подается напряжение и, в случае тестирования конденсаторов, убедитесь, что они разряжены! Тестер может быть повреждён и в выключенном состоянии. На схеме тестера не предусмотренна защита. Если требуется проверить элементы, установленные в схеме, то оборудование следует отсоединить от источника питания и все элементы схемы должны быть разряжены.
1.Подключите элемент к разъемам 1-2-3, обозначенным на схеме 1. (Если у определяемого элемента 3 вывода – подключите их к разъемам 1-2-3, если выводов два – подключение следует произвести к любым двум разъемам (1-2; 2-3; 1-3)).
2.Кратковременно нажмите на кнопку TEST и отпустите ее. На дисплее появится надпись «Testing…» Через несколько секунд на дисплее будет отображена информация по тестируемому элементу.
1. Подключите элемент к разъемам 1-2-3. (Если у определяемого элемента 3 вывода – подключите их к разъемам 1-2-3, если выводов два – подключение следует произвести к любым двум разъемам (1-2; 2-3; 1-3).
2. Зажмите кнопку TEST до появления на дисплее надписи SELECTION:
3. Отпустите кнопку TEST
4. Последующее кратковременное нажатие на кнопку TEST переключает функции в режиме ручного выбора.
5. Для выбора отображаемой на дисплее функции следует зажать кнопку TEST.
TRANSISTOR – измерение параметров транзисторов
FREQUENCY – измерение частоты (подается на разъемы 1-2)
f-Genrator – функция частотного генератора (подается на выводы 1-2)
10-bit PWM ― Генератор 10-бит ШИМ сигнала
C+ESR – измерение емкости и ESR конденсатора
Rotary encoder – для проверки Энкодеров.
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Н21е (коэффициент усиления по току) ― диапазон до 10000
(1-2-3) ― порядок подключенных выводов элемента
Наличие элементов защиты ― диода ― "Символ диода"
Прямое напряжение ― Uf [mV]
Напряжение открытия (для MOSFET) ― Vt [mV]
Емкость затвора (для MOSFET) ― С= [nF]