Конфигурация High-Side/Low-Side
Тип управляемого затвора IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В 12…20
Логическое напряжение (VIL), В 0.8
Логическое напряжение (VIH), В 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А 0.5
Тип входа неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс 40
Рабочая температура, °C -40…+150 (TJ)
Корпус DIP-8 (0.300 inch)